性能指标：SEM分辨率： 0.7nm @ 15kV(COF)、1.0nm @ 15kV 1.0nm @ 1kV(COF)、1.4nm @ 1kV FIB分辨率：2.5nm @ 30kV FIB束流：1pA～50nA 探测器：样品室和镜筒内二次电子探测器样品室和镜筒内背散射电子探测器质谱质量分辨率：>800 质谱探测极限：3ppm 质谱空间分辨率：40nm(水平方向) 3nm(深度方向) 附件：能谱仪(EDS)、EBSD

主要应用：该设备在双束电镜(SEM/FIB)的基础上配备了EDS和EBSD，同时还集成了一体化的TOF-SIMS。该设备不但能进行低电压超高分辨的电镜观察；也能利用FIB对试样进行切割、加工、沉积，从事内部和截面观察及全静态三维表征，以及特定图形加工工作。 TOF-SIMS可以进行高空间分辨的质谱分析，可对包含H、Li等传统EDS无法分析的全元素以及同位素进行三维分布分析。

样品要求：送检样品必须为干燥固体、块状、片状、纤维状及粉末状均可。应有一定的化学、物理稳定性，在真空中及电子束轰击下不会挥发或变形；无磁性、放射性和腐蚀性。含水分较多的生物软组织的样品制备，要求用户自己进行临界点干燥之前的固定、清洗、脱水及用醋酸（异）戊酯置换等处理，最后由本室进行临界点干燥处理。观察图像样品应预先喷金膜。一般情况下，样品尽量小块些（≤10x10x5mm较方便）。粉末样品每个需1克左右。纳米样品一般需超声波分散，并镀铂金膜。

仪器说明：（1）超高分辨率的电镜适合多种试样的极限观察；（2）超高分辨率的FIB可以进行精确的试样加工，尤适合制备定区域TEM薄片；（3）全静态三维SEM、EDS、EBSD和TOF-SIMS成像；（4）TOF-SIMS有着远胜于EDS的空间分辨率；（5）元素深度剖析有着非常高的Z方向分辨率，非常适合薄膜分析；（6）具有ppm级的探测灵敏度；（7）可进行同位素分析。